습식 에칭, 건식 에칭

 습식 에칭
SiO2를 HF로 제거하는 것과 같이 화학용액을 사용하는 방법
보통 등방성(isotropic)에칭으로 레지스트 패턴의 크기보다 에칭된 모양이 일반적으로 더 큼
나노 임프린트 ,  전자 리소그래피

 

 건식 에칭
플라즈마 : 보통 라디오 주파수(RF) 전기장에 의해 생성되며, 에너지를 가진 분자와 이온, 전자들로 구성된 거의 중성인 중합체
플라즈마 입자들과, 에칭되어 노출된 웨이퍼의 재료가 화학적인 반응을 해서 에칭이 이루어짐
보통 이방성(anisotropic)에칭이지만, 필요하다면 등방성이거나 혹은 부분적인 이방성으로 설계 가능
알루미늄은 염소를 포함한 플라즈마로 에칭하고, 실리콘과 그것의 화합물은 플루오르(F)를 포함하는 플라즈마로 에칭
재료 선택도(selectivity)는 일반적으로 습식 에칭보다 높지 않아, 종점 검출기로 빛의 방사를 검출하여 원하는 층이 제거되면 즉시 에칭을 멈춤
브롬은 Si와 SiO2 간에 좋은 선택도를 제공하지만 Cl보다 이방성은 약함

 

 플라즈마 공정-유도 손상 혹은 웨이퍼 차징 손상
플라즈마를 사용하는 공정은 플라즈마 내 이온에 의해 전도체의 충전이 발생하고, 결국 얇은 산화물 양단 간에 과도하게 높은 전압이 발생하여 산화물의 절연 파괴를 야기시킴
최악의 상황은 작고 얇은 산화물이 큰 전도체에 연결되어 있는 경우로, 큰 전도체는 플라즈마로부터 대량의 전하량과 전류를 모아서 작은 산화물 영역으로 그것을 쏟아 부어 넣음
전도체의 크기에 대한 손상의 민감도를 안테나 효과라고 함