SDRAM

동기식 DRAM(Synchronous DRAM: SDRAM) : 액세스 동작들이 시스템 클록에 맞추어(동기화 되어) 수행되는 DRAM
[예] 읽기 동작
CPU는 한 클록 주기 동안에 시스템 버스를 통하여 주소와 읽기 신호를 기억장치로 보낸 후, 그 결과를 기다리지 않고 내부적으로 다른 연산을 수행
SDRAM은 주소와 읽기 신호를 받은 즉시 읽기 동작을 시작하며,  그 동작이 완료되면 시스템 버스 사용권을 획득한 후, 다음 클록 주기 동안 버스를 통하여 CPU로 데이터 전송
CPU는 그 데이터를 받아서, 다음 연산을 수행

 

SDRAM의 내부 조직

다수의 뱅크(bank)들로 구성: 뱅크 별로 동시 액세스 가능
[예] 512Mbit SDRAM
4개의 16Mⅹ8bit 뱅크들로 구성 : 4ⅹ16Mbyte = 64Mbyte
주소 비트 수 = 26, 최상위 2비트: 뱅크 선택(bank select)에 사용

행(row): 8K 개의 기억소자 배열(memory cell array)
각 배열에는 16Kbit (2KBytes) 씩 저장
        행 주소(row addr) = 13비트,  열 주소(column addr) = 11비트 
칩의 입출력(데이터) 선의 수 : 8
각 읽기 동작 시, 배열의 데이터(2KByte) 전체가 감지 증폭기(sense amplifier)로 이동 = ‘행 열기(opening the row)’  그런 다음에, 열 주소에 의해 바이트(8 비트) 단위로 데이터 버스에 실림
버스트 모드(burst mode): 여러 바이트들을 연속적으로 전송하는 동작
버스트 길이(burst length): 각 버스트 동작 동안에 전송되는 데이터 바이트들의 수

 

기억장치 모듈(memory module) 구성의 필요성
SDRAM의 데이터 입출력 폭 = 8비트
단어 단위의 데이터 액세스를 위하여 여러 개의 SDRAM 칩들을 병렬로 접속하여 기억장치 모듈을 구성
   [예] 64-비트 컴퓨터시스템을 위한 기억장치 모듈
8개의 64Mⅹ8bit SDRAM 칩들을 병렬접속
        64비트씩 읽기/쓰기 가능한 512MByte 기억장치 모듈
기억장치 모듈 당 SDRAM 칩 한 개를 추가  8-비트 길이의 ECC(error-correction code)를 같이 저장